(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202110874929.7 (22)申请日 2021.07.3 0 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 113584576 A (43)申请公布日 2021.11.02 (73)专利权人 上海众壹云计算科技有限公司 地址 200333 上海市 静安区机场三路238号 1217室 (72)发明人 沈剑　刘迪　唐磊　胡逸群　 陈建东　 (74)专利代理 机构 重庆恩洲知识产权代理事务 所(特殊普通 合伙) 50263 代理人 兰渝宏　熊传亚 (51)Int.Cl. G06F 30/27(2020.01)C30B 15/22(2006.01) C30B 29/06(2006.01) G06K 9/62(2022.01) 审查员 王红 (54)发明名称 晶体直径生长的自动控制方法、 装置、 电子 设备和存 储介质 (57)摘要 本发明涉及一种直拉单晶工艺中晶体直径 生长的自动控制方法， 包括步骤： 获取单晶炉的 多个当前设备参数； 根据多个当前设备参数和预 先构建的预测模型预测得到第一预设时间后的 预测设备参数， 或第二预设时间后的预测晶体直 径； 根据预测设备参数和预设目标直径计算得到 至少一个控制偏移量； 或， 根据预测晶体直径和 预设目标直径计算得到至少一个控制偏移量； 根 据至少一个控制偏移量自动调节相应的设备参 数。 本发明通过预测模型可以预测设备参数或晶 体直径的变化趋势， 预先设定调整参数， 有效减 少残次品的产生。 相应地， 本发明还提供一种自 动控制装置、 电子设备和存 储介质。 权利要求书2页 说明书18页 附图2页 CN 113584576 B 2022.05.03 CN 113584576 B 1.一种直拉单晶工艺中晶体直径生长的自动控制方法， 其特征在于， 包括步骤： 获取单 晶炉的多个当前设备参数； 根据所述多个当前设备参数和预先构建的预测模型预测得到第一预设时间后的预测 设备参数， 或者， 第二预设时间后的预测晶体直径； 根据所述预测设备参数和预设目标直径计算得到 至少一个控制偏移量； 或者， 根据所述预测晶体直径和预设目标直径计算得到 至少一个控制偏移量； 根据至少一个所述控制偏移量自动调节相应的设备参数； 其中， 当所述预测模型用于预测所述预测晶体直径时， 所述预测模型 具体为： 其中， D为预测晶体直径； a1、 a2、 a3···an为常量； P1、 P2、 P3···Pn为设备参数； n取正 整数； 或者， 当所述预测模型用于预测所述预测设备参数时， 所述预测模型 具体为： 其中， E为设备参数， n为时间， x1为多个晶棒检测数据量数据最大值； x2为气体流量超标 次数最小值； x3为气体流量超标次数平均值； x4为两笔相邻检测数据间间隔时间平均值； x5 为两笔相邻检测数据间 间隔时间中位 值； a1、 a2、 a3、 a4和a5为常量， 通常取 经验值； k 为整数。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 当所述预测模型用于预测所述预测晶体直 径时， 所述预测模型 具体为： 其中， D为预测晶体直径； a1、 a2、 a3为常量； P1为晶体长度， P2为提拉速度， P3为炉内温度。 3.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 构建所述预测模型的步骤， 具体包括 步骤： 获取训练样本， 并训练模型； 其中， 所述训练样本包括： 多个历史目标直径， 每个所述历 史目标直径对应的第一等径生长时刻的多个样本设备参数， 以及经过所述第一预设时间后 第二等径生长时刻， 或经 过所述第二预设时间后第三 等径生长时刻的多个样本设备参数。 4.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 根据 所述预测晶体直径和预设目标直径计 算得到至少一个所述控制偏移量的步骤， 具体包括 步骤： 判断所述预测晶体直径是否等于所述预设目标直径， 若是， 判定当前 无需对所述当前设备参数进行调整； 否则， 判定当前需要对至少一个所述当前设备参数进行调整， 并根据获取的所述多个 当前设备参数与所述预设目标直径计算得到 至少一个所述控制偏移量。 5.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 根据获取的所述多个当前设备参数与 所述 预设目标直径计算得到 至少一个所述控制偏移量的步骤， 具体包括 步骤： 将所述预设目标直径输入所述预测模型进行反 向求解， 得到所述预设目标直径所对应 的至少一个目标设备参数； 根据所述至少一个目标设备参数与所述多个当前设备参数计算得到至少一个控制偏权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 113584576 B 2移量。 6.根据权利要求3所述的方法， 其特征在于， 根据 所述预测设备参数和预设目标直径计 算得到至少一个控制偏移量的步骤， 具体包括 步骤： 根据所述预设目标直径在所述训练样本 中查找是否有相匹配的历史目标直径； 若查找 到相匹配的一个所述历史目标直径， 输出所述历史目标直径所对应的至少一个所述样本设 备参数； 根据所述预测设备参数和所述至少一个样本设备参数计算得到 至少一个控制偏移量。 7.一种直拉单晶工艺中晶体直径生长的自动控制装置， 其特 征在于， 包括： 设备参数获取模块， 用于获取 单晶炉的多个当前设备参数； 数据处理模块， 用于根据所述多个当前设备参数和预先构建的预测模型预测得到第 一 预设时间后的预测设备参数， 或第二预设时间后的预测晶体直径； 根据所述预测设备参数 和预设目标直径计算得到至少一个控制偏移量； 或， 根据所述预测晶体直径和预设目标直 径计算得到 至少一个控制偏移量； 控制模块， 用于根据至少一个所述控制偏移量自动调节相应的设备参数； 其中， 当所述预测模型用于预测所述预测晶体直径时， 所述预测模型 具体为： 其中， D为预测晶体直径； a1、 a2、 a3···an为 常量； P1、 P2、 P3···Pn为设备参数； n取正整数； 或者， 当所述预测模型用于预测所述预测设备参数时， 所述预测模型 具体为： 其中， E为设备参数， n 为时间， x1为多个晶棒检测数据量数据最大值； x2为气体流量超标 次数最小值； x3为气体流量超标 次数平均 值； x4为两笔相邻检测数据 间间隔时间平均值； x5为两笔相邻检测数据间间隔时间中位值； a1、 a2、 a3、 a4和a5为常量， 通 常取经验值； k 为整数。 8.根据权利要求7所述的自动控制装置， 其特征在于， 当所述预测模型用于预测所述预 测晶体直径时， 所述预测模型 具体为： 其中， D为预测晶体直径； a1、 a2、 a3为常量； P1为晶体长度， P2为提拉速度， P3为炉内温度。 9.一种计算机可读存储介质， 其存储有计算机程序， 其特征在于， 所述计算机程序被处 理器执行时控制所述存 储介质所在设备 执行权利要求1至 6中任一所述方法的步骤。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 113584576 B 3